"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Двухволновое излучение в структуре GaInPAsSb/InAs с разъединенным изотипным гетеропереходом и p-n-переходом в подложке
Айдаралиев М.1, Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1, Шустов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bmat@iropt3.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Сообщается о получении структуры P-Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87/p-InAs/n-InAs с разъединенным изотипным гетеропереходом и p-n-переходом в толще подложки, с максимумами электролюминесценции lambda=1.9, 3.1 mum (77 K) и lambda=2.1, 3.6 mum (300 K) соответственно. Длинноволновая линия излучения обусловлена рекомбинацией в p-области p-n-перехода в толще подложки. Коротковолновая линия излучения обусловлена рекомбинацией в широкозонном слое твердого раствора P-GaInPAsSb, источником неравновесных электронов для которой является p-n-переход в толще подложки.
  1. Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Шустов В.В., Кузнецов В.В., Когновицкая Е.А. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 1010
  2. Михайлова М.П., Зегря Г.Г., Моисеев К.Д., Тимченко Н.И., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1995. Т. 29. С. 687
  3. Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Розов А.Е., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 215

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.