"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Высокотемпературный отжиг объемных GaN слоев
Бессолов В.Н.1,2,3, Жиляев Ю.В.1,2,3, Компан М.Е.1,2,3, Коненкова Е.В.1,2,3, Кукушкин С.А.1,2,3, Меш М.В.1,2,3, Раевский С.Д.1,2,3, Фрадков А.Л.1,2,3, Федирко В.А.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Московский государственный технологический университет "СТАНКИН", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Методами атомно-силовой микроскопии и фотолюминесценции изучались влияние высокотемпературного (1010oC) отжига в потоке аммиака на свойства выращенных хлоридно-гидридной газофазной эпитаксией GaN слоев, отделенных от SiO2 подложки. Эпитаксиальный рост объемных толщиной 360 mum слоев осуществлялся в две стадии: вначале выращивался слой при низкой (530oC) температуре эпитаксии, а затем при высокой (970oC). Установлено, что отжиг низкотемпературного GaN слоя приводит к увеличению нанорельефа поверхности и к активизации донорно-акцепторной рекомбинации, а отжиг высокотемпературного - к уменьшению интенсивности фотолюминесценции.
  1. Maruska H.P., Tietjen J.J. // Appl. Phys. Lett. 1969. V. 15. P. 327
  2. Nakamura S., Mukai T., Senoh M., Iwasa N. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 31. L. 139
  3. Tavernier P.R., Etzkom E.V., Wang Y., Clarke D.R. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 1804
  4. Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Кукушкин С.А., Лукьянов А.В., Раевский С.Д., Федирко В.А. // Письма в ЖТФ. 2001. V. 27 (23). С. 60
  5. Кацавец Н.И., Laws G.M., Harrison I., Larkins E.C., Benson T.M., Cheng T.S., Foxon C.T. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 1175
  6. Fang Z.-Q., Look D.C., Visconti P., Wang D.-F., Lu C.-Z., Yun F., Morkoc H., Park S.S., Lee K.Y. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 2178

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.