Методами атомно-силовой микроскопии и фотолюминесценции изучались влияние высокотемпературного (1010^oC) отжига в потоке аммиака на свойства выращенных хлоридно-гидридной газофазной эпитаксией GaN слоев, отделенных от SiO₂ подложки. Эпитаксиальный рост объемных толщиной 360 mum слоев осуществлялся в две стадии: вначале выращивался слой при низкой (530^oC) температуре эпитаксии, а затем при высокой (970^oC). Установлено, что отжиг низкотемпературного GaN слоя приводит к увеличению нанорельефа поверхности и к активизации донорно-акцепторной рекомбинации, а отжиг высокотемпературного - к уменьшению интенсивности фотолюминесценции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.