Модифицирование свойств CdxHg1-xTe и ZnxCdyHg1-x-yTe обработкой низкоэнергетичными ионами
Мынбаев К.Д.1, Баженов Н.Л.1, Смирнов В.А.1, Иванов-Омский В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
Исследован эффект инверсии типа проводимости в твердых растворах CdxHg1-xTe составов 0.28=< x=< 0.55 и ZnxCdyHg1-x-yTe различных составов при обработке поверхности материала p-типа низкоэнергетичными ионами аргона. Показано, что для возникновения инверсии в CdxHg1-xTe с составами 0.28=< x=< 0.39 существенна нейтрализация пучка ионов, которыми проводится обработка. Выявленная зависимость глубины инверсии в CdxHg1-xTe от состава твердого раствора согласуется с диффузионной моделью инверсии типа проводимости при ионной обработке.
- Blackman M.V., Charlton D.E., Jenner M.D. et al. // Electron. Lett. 1987. V. 23 (19). P. 978--979
- Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. // ФТП. 1990. Т. 24 (12). С. 2222--2224
- Belas E., Grill R., Franc J. et al. // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159 (1--4). P. 1117--1122
- Bahir G., Garber V., Rosenfeld D. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78 (10). P. 1331--1333
- Ivanov-Omskii V.I., Mironov K.E., Mynbaev K.D. // Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8 (5). P. 634--637
- Brogowski P., Mucha H., Piotrowski J. // Phys. stat. sol. (a). 1989. V. 114. P. K37--K39
- Rolland S., Granger R., Triboulet R. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 208
- Shaw D., Capper P. // Journ. Mat. Sci.: Mater. Electron. 2000. V. 11 (2). P. 169--177
- Wang L., Zhang L.H. // J. Electr. Mater. 2000. V. 29 (6). P. 873--876
- Богобоящий В.В., Ижнин И.И. // Изв. вузов. Физика. 2000. Т. 43 (8). С. 16--25
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.