Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2002, выпуск 22 » Статья стр. 23
<<<>>>
Особенности структуры пористого слоя карбида кремния, полученного электрохимическим травлением на подложках 6H-SiC
Сорокин Л.М.1,2, Савкина Н.С.1,2, Шуман В.Б.1,2, Лебедев А.А.1,2, Мосина Г.Н.1,2, Хатчисон Дж.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Materials, Oxford University, Parks Road, Oxford OXI 3PH, UK
Email: lev.sorokin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
PDF версия
Проведено электронно-микроскопическое исследование поперечных срезов (11-20) структуры: подложка (6H-SiC) - пористый слой - эпитаксиальный слой 6H-SiC. Между порой (пустотой) и не подвергшимся травлению материалом карбида кремния выявлен промежуточный слой, состоящий из нарушенной области, включающей в себя двумерные дефекты, и полностью аморфной части. Локальные (~ 3 nm) энергодисперсионные рентгеновские спектры (ЭДРС), полученные с разных участков поперечного среза исследуемой структуры, показали обогащение углеродом промежуточного слоя в сравнении со стехиометрическим составом подложки. Слой эпитаксиального SiC непосредственно в месте контакта с пористым слоем сохраняет избыток углерода.
  1. Shor J.S., Grimberg I., Weiss B.Z., Kutz B.D. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 2836
  2. Matsumoto T., Takahashi J., Tamaki T., Futagi T., Mimura H. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 226
  3. Konstantinov A.O., Harris C.L., Jansen E. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 2699
  4. Konstantinov A.O., Henry A., Harris C.I., Jansen E. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66 (17). P. 2250
  5. Danishevskii A.M., Shuman V.B., Rogachev A.Yu., Ivanov P.A. // Semiconductors. 1995. V. 29. P. 1106
  6. Danishevski A.M., Shuman V.B., Rogachev A.Yu., Guk E.G., Ivanov P.A., Maltzev A.A. // Semiconductors. 1996. V. 30. P. 564
  7. Danishevskii A.M., Zamoryanskaya M.V., Sitnikova A.A., Shuman V.B., Suvorova A.A. // Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13. P. 1111
  8. Mynbaeva N.A., Savkina N.S., Zubrilov A., Seredova N., Sheglov M.P., Titkov A.N., Tregubova A.S., Lebedev A.A., Kryzhanovski A., Kotousova I., Dmitriev V.A. // Mat. Res. Simp. V. 587 (C): Mat. Res. Society. 2000. 08.6.1
  9. Savkina N.S., Lebedev A.A., Davydov D.V., Strel'chuk A.M., Tregubova A.S., Yagovkina M.A. // Mat. Sci. Eng. 1999. V. 61--62. P. 165
  10. Савкина Н.С., Ратников В.В., Шуман В.Б. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 2. С. 159--163

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme