Микроканальный лавинный фотоприемник на основе структуры Si--SiO2
Мусаев М.А.1
1Азербайджанская государственная нефтяная академия, Баку, Азербайджан
Email: ihm@adna.baku.az
Поступила в редакцию: 23 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
Предложен и реализован лавинный фотоприемник на базе микроканальной лавинной Si-SiO2-структуры, являющийся адекватным, но более технологичным аналогом известных вакуумных микроканальных пластин. Установлено, что значительное увеличение коэффициента усиления фототока связано с уменьшением флуктуации напряжения пробоя полупроводника и локальным подавлением лавинного процесса в неоднородностях полупроводника, ответственных за микроплазменный пробой.
- Вуль А.Я., Дидейкин А.Т., Косарев А.И. // Письма в ЖТФ. 1990. В. 21. Т. 16. С. 15--18
- Садыгов З.Я., Сулейманов М.К., Бокова Т.Ю. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 7. С. 75--79
- Кравченко А.Б., Плотников А.Ф., Попов Ю.М., Шубин В.Э. // Квантовая электроника. 1981. Т. 8. N 1. С. 785--792
- Осипов В.В., Панкратов А.А., Холоднов В.А. // ЖТФ. 1990. Т. 60. В. 6. С. 121--127
- Садыгов З.Я. Физические процессы в лавинных фотоприемниках на основе структуры кремний--широкозонный слой. Дис. на соис. учен. степ. докт. физ.-мат. наук. М.: МИФИ, 1997.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук