Исследованы поверхностно-барьерные структуры Ag-GaP, изготовленные на основе эпитаксиальных слоев n-GaP высокого качества с n=(0.5... 30)xx 10¹⁶ cm^-3. Показано, что высота потенциального барьера зависит от способа обработки поверхности перед нанесением металла и коррелирует с коэффициентом неидеальности структуры и толщиной промежуточного слоя. Для структур высокого качества с обратными токами менее 10^-14 A получено значение varphi=1.55± 0.04 eV. Для структур со сравнительно толстым промежуточным слоем эта величина может достигать varphi=1.7± 0.07 eV. Зависимость высоты барьера от метода обработки поверхности GaP связывается с отсутствием жесткого пиннинга уровня Ферми на поверхности фосфида галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.