"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Новое значение высоты потенциального барьера Ag--n--GaP
Пихтин А.Н.1, Тарасов С.А.1, Kloth В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: ANPikhtin@mail.eltech.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Исследованы поверхностно-барьерные структуры Ag-GaP, изготовленные на основе эпитаксиальных слоев n-GaP высокого качества с n=(0.5... 30)xx 1016 cm-3. Показано, что высота потенциального барьера зависит от способа обработки поверхности перед нанесением металла и коррелирует с коэффициентом неидеальности структуры и толщиной промежуточного слоя. Для структур высокого качества с обратными токами менее 10-14 A получено значение varphi=1.55± 0.04 eV. Для структур со сравнительно толстым промежуточным слоем эта величина может достигать varphi=1.7± 0.07 eV. Зависимость высоты барьера от метода обработки поверхности GaP связывается с отсутствием жесткого пиннинга уровня Ферми на поверхности фосфида галлия.
  1. Chen Z., Kim W. // J. Appl. Phys. 1994. V. 74. N 3. P. 3634
  2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. / Под ред. Суриса Р.А. М.: Мир, 1984
  3. Пихтин А.Н., Попов В.А., Яськов Д.А. // ПТЭ. 1970. Т. 2. С. 238
  4. Царенков Б.В., Гольдберг Ю.А., Изергин А.П., Поссе Е.А., Равич В.Н., Рафиев Т.Ю., Сильвестрова Н.Ф. // ФТП. 1972. Т. 6. N 4. С. 710

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.