Влияние гамма-облучения на ширину запрещенной зоны ZnSe
Мак В.Т.1, Манжара В.С.1, Бейзым В.И.1, Хиврич В.И.1
1Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса Институт физики НАН Украины, Киев Научный центр Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев
Email: vmak@te.net.ua
Поступила в редакцию: 2 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
Исследовано влияние гамма-облучения 60Co на спектры экситонной фотолюминесценции монокристаллов селенида цинка при 4.2 K. Обнаружено, что при увеличении дозы облучения максимумы экситонной фотолюминесценции при малых дозах смещаются в высокоэнергетичную область, а при больших дозах - к своему первоначальному положению. Сделан вывод, что указанное смещение обусловлено изменениями ширины запрещенной зоны полупроводника, имеющими место вследствие радиационно стимулированных процессов твердофазной перекристаллизации и накопления точечных дефектов при облучении.
- Мак В.Т. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 2. С. 292--295
- Мак В.Т. // ПЖТФ. 1989. Т. 15. В. 12. С. 17--19
- Мак В.Т. Роль радiацiйно стимульованих процеciв в модифiкац-3pt1-3pt1 властивостей напiвпровiвдникiв i напiвпровiдникових приладiв з дефектами структури: Автореф. дис. д-ра фiз.-мат. наук: 01.04.07. Ч.: Чернiвецький держ. унiв-т, 1997. 30 с
- Dean P.J., Merz J.L. // Phys. Rev. 1969. V. 178. N 3. P. 1310--1318
- Сердюк В.В., Ваксман Ю.Ф. Люминесценция полупроводников. Киев: Выща школа, 1988. 199 с
- Мак В.Т., Буковский В.Е., Рахлин М.Я. // ФТТ. 1989. Т. 34. B. 9. C. 251--253
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
