Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-In2Se3-p-InSe
Драпак С.И.1, Нетяга В.В.1, Ковалюк З.Д.1
1Институт пробем материаловедения им. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение
Email: chimsp@unicom.cv.ua
Поступила в редакцию: 25 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
Исследованы вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики в температурном интервале 230-330 K и при температуре жидкого азота впервые изготовленной фоточувствительной радиационно-стойкой гетероструктуры n-In2Se3-p-InSe. Установлено, что прямые токи определяются одновременно термоэмиссией носителей заряда, которые рекомбинируют на границе раздела, и туннелированием через локальные центры. Обратные токи связаны также с туннелированием через локальные центры. Представлена спектральная зависимость относительной квантовой эффективности.
- Martinez-Pastor J., Segura A., Valdes J.L., Chevy A. // J. Appl. Phys. 1987. V. 21. N 2. P. 1477--1483
- Драпак С.И., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В., Орлецкий В.Б. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 17. С. 1--8
- Martinez-Tomaz M.C., Munoz V., Andres M.V., Segura A., Chevy A. // Condensed Matter. 1993. V. B 91. P. 25--30
- Segura A., Martinez-Pastor J., Mari B., Casanovas A., Chevy A. // J. Appl. Phys. 1987. V. 21. N 3. P. 249--260
- Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М., 1975. 432 с
- De Blasi C., Drigo A.V., Micocci G., Tepore A. // J. Cryst. Growth. 1989. V. 94. N 2. P. 455--458
- Стриха В.И. Контактные явления в полупроводниках. Киев, 1982. 224 с
- Булярский С.В., Жуков А.В. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 5. С. 560--563
- Курносова О.В., Пахомова А.А. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 10 (5). С. 1868--1871
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник // А.В. Новоселова, В.Б. Лазарев, З.С. Медведева и др. М.: Наука, 1979. 340 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
