Вышедшие номера
Мощные низкопороговые лазерные диоды (lambda=0.94 mum) на основе In0.1Ga0.9As/AlGaAs/GaAs гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Александров С.В., Алексеев А.Н., Демидов Д.М., Дудин А.Л., Кацавец Н.И., Коган И.В., Погорельский Ю.В., Тер-Мартиросян А.Л., Соколов Э.Г., Чалый В.П., Шкурко А.П.
Email: atcste@mail.fi.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Представлены результаты исследования параметров мощных лазерных диодов с длиной волны генерации 0.94 mum, изготовленных на основе квантово-размерных In0.1Ga0.9As/AlGaAs/GaAs гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. В результате оптимизации технологии роста и профиля легирования гетероструктур лазерные диоды имеют низкую пороговую плотность тока, высокие выходную оптическую мощность и дифференциальную квантовую эффективность при времени жизни более 10 000 h.