О возможном механизме роста монокристаллов из расплава в условиях невесомости
Котов С.В.1, Лютиков А.Р.1, Хухрянский Ю.П.1, Арсентьев И.Н.1, Кузнецова Е.А.1
1Воронежский государственный технический университет
Email: kotov@vmail.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.
Сообщается о возможном механизме роста монокристаллов полупроводников из расплавов в условиях невесомости. Приведены результаты компьютерного моделирования методом молекулярной динамики тонкого слоя расплава на поверхности монокристалла. Полученные основные характеристики динамики компонентов расплава позволяют выявить механизмы, при которых рост монокристаллов будет происходить во многом за счет атомов или малоатомных кластеров, что и повлияет на совершенство кристаллической структуры растущего монокристалла.
- Дистлер Г.И., Каневский В.М., Герасимов Д.М. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1984. Т. 48. N 9. С. 1698--1702
- Lyutikov A.R., Khukhryansky Yu.P. // Fourth International Conference Single Crystal Growth, Strength Problems, and Heat Mass Transfer, Proceedings. Obninsk, 2001. P. 1059--1064.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.