Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Выращивание соединений (Al)GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием аммиака
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 6 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
Исследована возможность использования аммиака в качестве источника азота при молекулярно-пучковой эпитаксии слоев AlGaAsN/GaAs. Показано, что встраивание азота в слои GaAs не реализуется в широком диапазоне ростовых условий. Наличие алюминия в растущей пленке приводит к возможности встраивания азота. При достаточно высоких потоках аммиака мольная доля азота совпадает с мольной долей алюминия в слоях. Теоретические оценки подтверждаются экспериментальными данными.
- Kondow M., Kitatani T., Nakatsuka S., Larson M.C., Nakahara K., Yazawa Y., Uomi K. // IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 1997. V. 3. P. 719--730
- Borchert B., Egorov A.Yu., Illek S., Komainda M., Reichert H. // Electr. Lett. 1999. V. 35 (25)
- Steinle G., Riechert H., Egorov A.Yu. // Electr. Lett. 2001. V. 37 (2)
- Kageyama T., Miyamoto T., Makino Sh., Koyama F., Iga K. // Jpn. Appl. Phys. 1999. V. 38. P. L298--L300
- Mars D.E., Babic D.I., Kaneko Y., Ying-Lan Chang, Subramanya S., Kruger J., Perlin P., Weber E.R. // J. Vac. Sci. Technology. 1999. B 17 (3). P. 1272--1275
- Zhukov A.E., Zhao R., Specht P., Ustinov V.M., Anders A., Weber E.R. // Semicond. Sci. Technol. 2001. V. 16. (in print)
- Maclean J.O., Wallis D.J. et al. // Abstract Book of 11th International Conference of Molecular Beam Epitaxy. Beijin, China, 10--15 September 2000. Tu6.3--1. P. 136--137
- Qiu Y., Nikishin S.A., Temkin H., Elyukhin V.A., Kudriavtsev Yu.A. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70 (21). P. 2831
- Koukitu A., Seki H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. L750--L753
- Копьев П.С., Леденцов Н.Н. // ФТП. 1988. Т. 22. С. 1729
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
