Вышедшие номера
Фотолюминесценция в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками и квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1.55 mum
Тонких А.А.1, Егоров В.А.1, Поляков Н.К.1, Цырлин Г.Э.1, Крыжановская Н.В.1, Сизов Д.С.1, Устинов В.М.1
1Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 20 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Продемонстрирована возможность получения длинноволновой фотолюминесценции (до 1.65 mum при комнатной температуре) от гетероструктур InGaAs/GaAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии на основе двух подходов: выращивание InAs квантовых точек при малой скорости роста и выращивание квантовой ямы In0.5Ga0.5As в условиях избытка элементов III группы.