Вышедшие номера
Моделирование пассивных сверхвысокочастотных устройств на основе высокотемпературных сверхпроводников для планарных многослойных анизотропных структур
Гашинова М.С.1, Колмаков И.А.1, Колмаков Я.А.1, Вендик И.Б.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: MWLab@eltech.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Выполнен электродинамический анализ произвольной многослойной среды, включающей анизотропные слои и содержащей проводники произвольной формы в одной из поверхностей раздела. В качестве проводников рассматриваются тонкие слои высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП). Интегральные уравнения для электрического поля решаются в пространственной области. Результатом численного решения электродинамической задачи является определение плотности поверхностного тока в процессе применения процедуры Галеркина и решения основного матричного уравнения относительно коэффициентов разложения плотности тока по введенному базису пространственно дискретных функций. Учет потерь в ВТСП осуществляется на основе определения эквивалентного поверхностного импеданса и применения граничных условий Леонтовича. Анизотропия учитывается в определении спектральной диады Грина для структур с произвольным количеством анизотропных или изотропных слоев. Расчет распределения плотности поверхностного тока демонстрирует корректность предложенной модели.