"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Увеличение чувствительности к водороду кремниевого диода Шоттки путем модификации микрорельефа поверхности полупроводника
Тихов С.В.1, Павлов Д.А.1, Шиляев П.А.1, Шоболов Е.Л.1, Оськин А.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: fdp@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 17 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Близкая к атомарно-гладкой поверхность полупроводника в диоде Шоттки палладий/оксид/кремний модифицировалась с помощью селективного травителя. Показано, что возникновение развитого микрорельефа (средняя шероховатость ~ 22/ 32 nm, фрактальная размерность ~ 2.33/ 2.40) сопровождалось уменьшением высоты барьера на контакте Pd/Si, увеличением плотности состояний на границе раздела оксид/кремний и значительным увеличением чувствительности к водороду (на порядок величины) при регистрации по обратному току диода.
  • Евдокимов А.В., Мушурудли М.Н., Ржанов А.Е. и др. // Зарубежная электронная техника. 1988. N 2 (321). С. 3--39
  • Chesters S. et al. // Proc. of Institute of Environmental Sciencs. 1990. V. 316
  • Федер Е. Фракталы. М.: Мир, 1991. 256 с
  • Родерик Э.Х. Контакты металл--полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 208 с
  • Гаман В.И., Дробот П.И., Дученко М.О. и др. // Поверхность. 1996. N 11. С. 64--73
  • Гаман В.И., Дученко М.О., Капыгина В.М. // Изв. вузов. Физика. 1998. N 1. С. 69--83
  • Ржанов А.В., Филиппов В.И. // Микроэлектроника. 1990. Т. 19. N 1. С. 106--109
  • Kumar V., Dahike W.E. // Solid State Electr. 1977. V. 20. N 2. P. 113--152.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.