"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Водородочувствительная структура на полуизолирующем арсениде галлия
Карпович И.А.1, Тихов С.В.1, Шоболов Е.Л.1, Звонков Б.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: fdp@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 16 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Исследованы сенсорные характеристики простой, чувствительной к водороду структуры на основе полуизолирующего GaAs с планарными Pd электродами, расположенными на окисленной поверхности. Показано, что такие структуры обладают высоким быстродействием. Чувствительность структур к водороду может быть увеличена нанесением на полуизолятор эпитаксиального слоя GaAs с встроенными напряженными квантово-размерными слоями InGaAs и InAs.
  1. Евдокимов А.В., Мушурудли М.Н., Ржанов А.Е. и др. // Зарубежная электронная техника. 1988. В. 2 (321). С. 3--39
  2. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 4. С. 385--410
  3. Карпович И.А., Аншон А.В., Филатов Д.О. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 9. С. 1089--1095
  4. Звонков Б.Н., Карпович И.А., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 1. С. 92--97
  5. Тихов С.В., Лесников В.П., Подольский В.В. и др. // ЖТФ. 1995. Т. 65. В. 11. С. 120--125
  6. Зуев В.А., Саченко А.В., Толпыго И.Б. // Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и в полупроводниковых приборах. М.: Сов. радио, 1977. 256 с
  7. Гаман В.И., Дученко М.О., Калыгина В.М. // Известия вузов. Физика. 1998. В. 1. С. 69--83

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.