Исследованы спектры оптического поглощения ионов Er³⁺ в объемных кристаллах GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии в хлоридной системе. Эрбий был введен диффузионным способом. При 293, 77 и 2 K детально изучена область ⁴I_15/2-> ²H_11/2 перехода, расположенная в интервале 518-527 nm. При 2 K спектр перехода ⁴I_15/2-> ²H_11/2 состоит из 6 линий, что совпадает с теоретически возможным числом подуровней ²H_11/2 состояния иона Er³⁺, находящегося в некубическом кристаллическом поле. Определены положения уровней ²H_11/2-мультиплета: 2.360, 2.361, 2.365, 2.369, 2.379 и 2.386 eV. Количество линий при 2 K и их узость свидетельствуют о том, что ионы Er³⁺ занимают в кристаллах GaN преимущественно одну регулярную позицию. Наиболее вероятным представляется расположение эрбия в позиции галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.