Теоретически изучено влияние мезоскопических полупроводниковых возмущений в объеме диэлектрических образцов на распределение интенсивности электромагнитного поля в сканирующем ближнеполевом оптическом микроскопе собирающей конфигурации при исследовании структуры поверхности. Построена система интегральных уравнений, в которой впервые учтена возможность одновременного присутствия неоднородностей как на поверхности, так и в объеме исследуемых образцов. Показано, что искажения ближнего поля, вносимые возмущениями, существенно зависят как от положения возмущения, так и от свойств свободных носителей заряда в них. Данный эффект необходимо всегда иметь в виду при применении ближнеполевой микроскопии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.