Влияние мезоскопических полупроводниковых возмущений на распределение электромагнитных полей в ближнеполевой оптической микроскопии
Евлюхин А.Б.1
1Владимирский государственный университет
Email: evl@laser-2.vpti.vladimir.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Теоретически изучено влияние мезоскопических полупроводниковых возмущений в объеме диэлектрических образцов на распределение интенсивности электромагнитного поля в сканирующем ближнеполевом оптическом микроскопе собирающей конфигурации при исследовании структуры поверхности. Построена система интегральных уравнений, в которой впервые учтена возможность одновременного присутствия неоднородностей как на поверхности, так и в объеме исследуемых образцов. Показано, что искажения ближнего поля, вносимые возмущениями, существенно зависят как от положения возмущения, так и от свойств свободных носителей заряда в них. Данный эффект необходимо всегда иметь в виду при применении ближнеполевой микроскопии.
- Courjon D., Bainier C. // Rep. Prog. Phys. 1994. V. 57. P. 989--1028
- Girard C., Dereux A. // Rep. Prog. Phys. 1996. V. 59. P. 657--699
- Keller O. // Phys. Rep. 1996. V. 268. P. 85--262
- Дмитриев В.И., Захаров Е.В. Интегральные уравнения в краевых задачах электродинамики. М.: Изд-во Московского университета, 1987. С. 251
- Li Z., Gu B., Yang G. // Phys. Rev. B. 1997. V. 55. P. 10883--10894
- Girard Ch., Dereux A., Martin O.J.F. et al. // Phys. Rev. B. 1995b. V. 52. P. 2889--2898
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук