"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальное выращивание проводящих слоев CdF2 : Er
Кавеев А.К.1, Моисеева М.М.1, Соколов Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrew@fl.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

-1 Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероструктуры CdF2:Er/CaF2/CaF2 (111). Впервые для данных материалов легирование эрбием, сублимированным из металла, осуществлялось из эффузионной ячейки непосредственно в процессе роста. Разработан метод предэпитаксиальной подготовки подложек CaF2. Измерения продольной проводимости вышеуказанных структур по двухзондовой методике показали, что в зависимости от использованной концентрации легирующей примеси эрбия диапазон удельных сопротивлений этих структур лежит в пределах от 2.5· 105 до 50 Omega· cm.
  • Khosla R.P. // Phys. Rev. 1969. V. 183. N 3. P. 695
  • Lee B.C., Khilko A.Yu., Shusterman Yu.V., Yakovlev N.L., Sokolov N.S., Kyutt R.N., Suturin S.M., Schowalter L.J. // Appl. Surf. Sci. 1998. V. 123/124. P. 590--594
  • Kaveev A.K., Kyutt R.N., Moisseeva M.M., Schowalter L.J., Shusterman Yu.V., Sokolov N.S., Suturin S.M., Yakovlev N.L. // J. Crystal Growth. 1999. 201/202. P. 1105--1108 (На основе данной публ. выдана заявка о приоритете изобр. N 2001127031 от 4.10.01)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.