-1 Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероструктуры CdF₂:Er/CaF₂/CaF₂ (111). Впервые для данных материалов легирование эрбием, сублимированным из металла, осуществлялось из эффузионной ячейки непосредственно в процессе роста. Разработан метод предэпитаксиальной подготовки подложек CaF₂. Измерения продольной проводимости вышеуказанных структур по двухзондовой методике показали, что в зависимости от использованной концентрации легирующей примеси эрбия диапазон удельных сопротивлений этих структур лежит в пределах от 2.5· 10⁵ до 50 Omega· cm.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.