Вышедшие номера
Мощные InGaAsP/InP лазеры, излучающие на длине волны 1.8 mum
Голикова Е.Г.1, Курешов В.А.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Рябоштан Ю.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Фетисова Н.В.1, Бондарев А.Д.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений изготовлены InGaAsP/InP лазерные гетероструктуры раздельного ограничения с двумя напряженными квантовыми ямами. На длине волны излучения 1.8 mum получена оптическая мощность 1.2 W в непрерывном режиме генерации при 20oC в лазерных диодах с шириной полоска 100 mum. Минимальная пороговая плотность тока составила 320 A/cm2, а дифференциальная квантовая эффективность etad=28% при длине резонатора Фабри-Перо 1.4 mm. Внутренние оптические потери равнялись 5.6 cm-1.