Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2002, выпуск 3 » Статья стр. 66
<<<>>>
Мощные InGaAsP/InP лазеры, излучающие на длине волны 1.8 mum
Голикова Е.Г.1, Курешов В.А.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Рябоштан Ю.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Фетисова Н.В.1, Бондарев А.Д.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.
PDF версия
Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений изготовлены InGaAsP/InP лазерные гетероструктуры раздельного ограничения с двумя напряженными квантовыми ямами. На длине волны излучения 1.8 mum получена оптическая мощность 1.2 W в непрерывном режиме генерации при 20oC в лазерных диодах с шириной полоска 100 mum. Минимальная пороговая плотность тока составила 320 A/cm2, а дифференциальная квантовая эффективность etad=28% при длине резонатора Фабри-Перо 1.4 mm. Внутренние оптические потери равнялись 5.6 cm-1.
  1. O'Brien S., Plano W., Major J., Welch D.F., Tally T. // Electron. Lett. 1995. V. 31. P. 105
  2. He X., Xu D., Ovtchinnikov A., Wilson S., Malarayap F., Supe R., Patel R. // Electron. Lett. 1999. V. 35. P. 1343
  3. Major J.S., Nam D.W., Osinski J.S., Welch D.F. // IEEE Photonics Technol. Lett. 1993. V. 5. P. 594
  4. Choi H.K., Eglash S.J. // IEEE J. Quantum Electron. 1991. V. QE-27. P. 1555
  5. Choi H.K., Eglash S.J. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. P. 1154
  6. Livshits D.A., Kochnev I.V., Lantratov V.M., Ledentsov N.N., Nalyot T.A., Tarasov I.S., Alferov Zh.I. // Electron. Lett. 2000. V. 36. P. 1848
  7. Лившиц Д.А., Егоров А.Ю., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Налет Т.А., Тарасов И.С. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 380
  8. Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 1457
  9. Голикова Е.Г., Горбылев В.А., Ильин Ю.В., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Симаков В.А., Тарасов И.С., Третьякова Е.А., Фетисова Н.В. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 7. С. 57
  10. Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Скрынников Г.А., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 886
  11. Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лившиц Д.А., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Слипченко С.О., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 20. С. 40
  12. Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Слипченко С.О., Тарасов И.С. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 8. С. 1001

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme