Исследовано влияние внешнего импульсного электрического поля напряженностью ~ 4.6· 10⁴ V/cm на генерацию свободных носителей в ионном кристалле KBr. Обнаружено образование F-центров окраски вблизи положительно заряженного электрода. Предполагается, что источником электронов являются каскадные Оже-переходы в валентной зоне диэлектрика.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.