"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Генерация носителей заряда в кристалле KBr в предпробойных импульсных электрических полях
Куликов В.Д.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Email: kulikov@list2.epd.tpu.edu.ru
Поступила в редакцию: 11 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Исследовано влияние внешнего импульсного электрического поля напряженностью ~ 4.6· 104 V/cm на генерацию свободных носителей в ионном кристалле KBr. Обнаружено образование F-центров окраски вблизи положительно заряженного электрода. Предполагается, что источником электронов являются каскадные Оже-переходы в валентной зоне диэлектрика.
  1. Куликов В.Д. // Изв. вуз. Физика. 1995. N 5. С. 26--34
  2. Лисицын В.М., Корепанов В.И., Яковлев В.Ю. // Изв. вуз. Физика. 1996. N 11. С. 5--29
  3. Williams R.Т., Bredford J.N., Faust W.L. // Phys. Rev. B-Solid State. 1978. V. 18. N 12. P. 7038--7057
  4. Лисицын В.М., Олешко В.И. // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. В. 1. С. 15--18
  5. Миронов А.Л., Зубарев А.И., Шпак В.Г., Быков В.В. // ЖТФ. 1990. Т. 60. В. 11. С. 203--206
  6. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (Область сильных полей). М.: Физматгиз, 1958
  7. Куликов В.Д. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 4. С. 77--82

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.