"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Особенности оптического ограничения импульсно-периодического лазерного излучения в примесном GaAs и ZnSe
Михеева О.П.1, Сидоров А.И.1, Хайкина А.С.1, Чугуевец Е.В.1
1Институт лазерной физики, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 7 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Представлены экспериментальные результаты по ограничению излучения с длиной волны 1.55 mum в арсениде галлия и селениде цинка с глубокими примесными уровнями при частоте повторения лазерных импульсов до 100 kHz. Показано, что с увеличением частоты происходят снижение энергетического порога ограничения излучения и увеличение коэффициента ослабления излучения. Причиной данных эффектов является накопление неравновесных носителей заряда, вызванное зависимостью постоянной времени примесной рекомбинации от концентрации свободных примесных центров.
  1. Bogges T.F., Smirl A.I., Moss S. et al. // IEEE J. of Quant. Electr. 1985. V. QE-21. N 5. P. 488
  2. Hogan D.J., Van Stryland E.W., Soileau M.J. et al. // J. Opt. Soc. Am. A. 1986. V. 3. N 13. P. 105
  3. Van Stryland, Wu Y.Y., Hagan D.J. et al. // J. Opt. Soc. Am. B. 1988. V. 5. N 9. P. 1980
  4. Багров И.В., Жевлаков А.П., Сидоров А.И. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 10. С. 26
  5. Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963. 264 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.