Вышедшие номера
Структурные исследования гетеропереходов (p)3C - SiC--(n)6H-SiC
Лебедев А.А.1, Мосина Г.Н.1, Никитина И.П.1, Савкина Н.С.1, Сорокин Л.М.1, Трегубова А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

Методами рентгеновской топографии, дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные структуры (p)3C-SiC/(n)6H-SiC, полученные сублимационной эпитаксией в вакууме на подложке 6H-SiC. Проведенные исследования показали высокое структурное совершенство эпитаксиальных слоев обоих политипов SiC. Выявлена резкая граница раздела между эпитаксиальными слоями (3C)SiC и (6H)SiC.