Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные исследования гетеропереходов (p)3C - SiC--(n)6H-SiC
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 26 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.
Методами рентгеновской топографии, дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные структуры (p)3C-SiC/(n)6H-SiC, полученные сублимационной эпитаксией в вакууме на подложке 6H-SiC. Проведенные исследования показали высокое структурное совершенство эпитаксиальных слоев обоих политипов SiC. Выявлена резкая граница раздела между эпитаксиальными слоями (3C)SiC и (6H)SiC.
- Verma A.R., Krishna P. Polymorhism and polytypism in crystals. J. Wiley \& sons, Inc. New York, London, Sydney, 1966
- Bechstedt F., Kackell P., Zywietz A., Karch K., Adolph B., Tenelsen K., Furthmuller J. // Phys. stat. sol. (b) 1997. 202. 35
- Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н. // ФТТ. 1982. Т. 24. C. 1377
- Вахнер Ю., Таиров Ю.М. // ФТТ. 1970. Т. 12. С. 1543
- Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Роенков А.Д., Аникин М.М. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. С. 367
- Savkina N.S., Lebedev A.A., Davydov D.V., Strel'chuk A.M., Tregubova A.S., Yagovkina M.A. // Mater. Sci. Eng. 1999. B 61--62, P. 165
- Davydov D.V., Lebedev A.A., Tregubova A.S., Kuznetsov A.N., Bogdanova E.V. // Mat Sci. Forum 2000. V. 338--342, P. 221
- Andreev A.N., Smirnova N.Yu., Tregubova A.S., Shcheglov M.P., Chelnokov V.E. // Semiconductors 1997. V. 31 (3). P. 232--236
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
