Механизмы гашения фотолюминесценции пористого кремния электронным облучением различной интенсивности
Костишко Б.М.1, Нагорнов Ю.С.1
1Ульяновский государственный университет
Email: kost@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.
Изучено влияние плотности потока частиц при электронном облучении пористого кремния на кинетику десорбции поверхностных комплексов и соответственно степень гашения фотолюминесценции. Показано, что при плотностях пучка электронов более 5.5· 1013 cm-2· s-1 происходят зарядка поверхности и уменьшение ее адсорбционной способности по отношению к донорным молекулярным группам.
- Canham L.T. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 1046--1048
- Gullis A.G., Canham L.T. et al. // Appl. Phys. Rev. 1997. V. 82 (3). N 1. P. 909--965
- Cruz M., Beltran M.R. et al. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. N 23. P. 15381--15387
- Ельцов К.Н., Караванский В.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1996. Т. 63. В. 2. С. 106--111
- Костишко Б.М., Орлов А.М. // ЖТФ. 1998. Т. 68. В. 3. С. 58--64
- Kostishko B.M., Guseva M.B. et al. // Phys. Low-Dim. Struct. V. 1999. V. 7/8. P. 9--14
- Chang I.M., Chuo G.S. et al. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 10. P. 5365--5368
- Zimin S.P., Zimin D.S. et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 2000. V. 182. P. 221--225
- Физические величины: Справочник / Под ред. И.С. Григорьева. 1991. 1232 с
- Зимин С.П. // ФТП. 2000. Т. 34. В. 3. С. 359--363
- Петров А.В., Петрухин А.Г. // ФТП. 1994. Т. 28. В. 1. С. 82--85
- Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. 432 с
- Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р. и др. // Изв. вузов. Электроника. 1999. В. 6. С. 5--12
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
