"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Светодиоды на основе твердых растворов InAsSbP предельного состава для спектрального диапазона 2.6--2.8 mum
Романов В.В.1, Иванов Э.В.1, Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Моисеев К.Д.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Методом жидкофазной эпитаксии получены эпитаксиальные слои на основе твердых растворов InAs1-y-xSbyPx с высоким содержанием фосфора. Слои с содержанием фосфора 0.32 были выращены при температуре эпитаксии 575oC на изопериодной подложке InAs (100). Показано, что при выращивании слоев InAsSbP, содержащих большое количество фосфора в жидкой фазе, наблюдается насыщение коэффициента вхождения фосфора в твердое состояние. На основе твердых растворов InAsSbP созданы светодиодные структуры, излучающие в интервале 2.6-2.8 mum, мощность которых достаточна для обнаружения природных и промышленных газов, находящихся в атмосфере.
  1. Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гребенщикова Е.А., Гуссейнов А.А., Именков А.Н., Рогачев А.А., Филоретова Г.М., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1989. Т. 23. В. 8. С. 1373
  2. Именков А.Н., Капранчик О.П., Литвак А.М., Попов А.А., Чарыков Н.А., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. В. 24. С. 19
  3. Данилова Т.Н., Именков А.Н., Моисеев К.Д., Тимченко И.Н., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 10. С. 20
  4. Баранов А.Н., Джуртанов Б.Е., Литвак А.М., Чарыков Н.А., Чернявский А.Г., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // ЖНХ. 1990. Т. 35. В. 12. С. 3008
  5. Gertner E.R., Cheung D.T., Andrews A.M., Longo J.T. // J. Electron. Mat. 1977. V. 6. N 2. P. 163
  6. Хадсон Р. Инфракрасные системы. М.: 1972. 535 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.