Вышедшие номера
Светодиоды на основе твердых растворов InAsSbP предельного состава для спектрального диапазона 2.6--2.8 mum
Романов В.В.1, Иванов Э.В.1, Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Моисеев К.Д.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Методом жидкофазной эпитаксии получены эпитаксиальные слои на основе твердых растворов InAs1-y-xSbyPx с высоким содержанием фосфора. Слои с содержанием фосфора 0.32 были выращены при температуре эпитаксии 575oC на изопериодной подложке InAs (100). Показано, что при выращивании слоев InAsSbP, содержащих большое количество фосфора в жидкой фазе, наблюдается насыщение коэффициента вхождения фосфора в твердое состояние. На основе твердых растворов InAsSbP созданы светодиодные структуры, излучающие в интервале 2.6-2.8 mum, мощность которых достаточна для обнаружения природных и промышленных газов, находящихся в атмосфере.