О возможности подавления насыщения фотоэлектрического усиления слабого оптического излучения в полупроводниках за счет варизонных приконтактных слоев
Холоднов В.А.1, Другова А.А.1
1ГНЦ PФ НПО "Орион", Москва
Поступила в редакцию: 25 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.
Показано, что введение варизонного слоя вблизи токового контакта, к которому электрическим полем подтягиваются неосновные носители, позволяет подавить насыщение коэффициента фотоэлектрического усиления G с ростом напряжения на образце V. Рассмотрен случай межзонных механизмов фотогенерации и рекомбинации, что реализуется, например, в CdHgTe материале, широко используемом при регистрации слабого излучения на длины волн lambda=8-12 mum и lambda=3-5 mum [1].
- Rogalski A. et al. Infrared Photon Detectors. Bellingham--Washington, USA: SPIE Opt. Engin. Press, 1995. 644 p
- Shacham-Diamand Y.J., Kidron I. // Infr. Phys. 1981. V. 21. P. 105--115
- Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Под ред. Р. Дж. Киеса. М.: Радио и связь, 1985. 326 с
- Smith D.L., Lo F.K., Genova J.D. // J. Vac. Sci. Technol. 1982. V. 21. N 1. P. 259--262
- Elliot C.T. // Handbook on Semiconductors / Ed. By C. Hilsum. Amsterdam: North-Holland, 1982. V. 4. P. 727--798
- Beneking H. // IEEE Trans. on Elec. Devic. 1982. V. Ed-29. N 9. P. 1420--1430
- Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 600 с
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 688 с
- Rittner E.S. // Photoconductivity Conference. New York, 1956. P. 215--268
- Блекмор Дж.С. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. 392 с
- Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1965. 444 с
- Bube R.H. Photoelectronic properties of semiconductors. Cambridge: Cam. Univ. Pr., 1992
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 496 с
- Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. М.: Мир, 1980. 208 с
- Васильев А.М., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи. М.: Сов. Радио, 1971. 248 с
- Emtage P.R. // J. Appl. Phys. 1962. V. 33. N 6. P. 1950--1960
- Van Ruyvent L.J., Williams F.E. // Amer. J. Phys. 1967. V. 35. N 7. P. 705--709
- Gora T., Williams F. // Phys. Rev. 1969. V. 177. N 3. P. 1179--1182
- Migliorato P., White A. // Solid State Electronics. 1983. V. 26. N 1. P. 65--69
- Smith D.L. // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 45. N 1. P. 83--85
- Савицкий В.Г., Соколовский Б.С. // ФТП. 1997. Т. 31. N 1. С. 3--5
- Kholodnov V.A. // Proceedings of SPIE. 1999. V. 3819. P. 98--115
- Холоднов В.А., Другова А.А. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 2. С. 80--87
- Холоднов В.А. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 67. N 9. С. 655--660
- Kholodnov V.A., Drugova A.A. // Proceeding of SPIE. 1999. V. 3819. P. 67--72
- Холоднов В.А., Другова А.А. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 5. С. 49--56
- Kholodnov V.A., Drugova A.A. // Proceedings of SPIE. 2000. V. 4340
- Kholodnov V.A., Drugova A.A., Kurochkin N.E. // Abstracts of the 25th International Conference of the Physics of Semiconductors (25 ICPS). Osaka, Japan, September 17--22, 2000. Part I. P. 239; Proceedings of the 25 ICPS. Springer Verlag, January 2001
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
