"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Гетеропереходы оксид--p-InSe на ориентированной (110) подложке кристалла
Катеринчук В.Н.1, Ковалюк З.Д.1, Беца Т.В.1, Каминский В.М.1, Нетяга В.В.1
1Институт проблем материаловедения НАН Украины, Черновцы
Поступила в редакцию: 28 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Исследованы фотоэлектрические свойства гетероперехода (ГП) оксид--p-InSe, сформированного в плоскости, параллельной кристаллографической оси C. ГП изготовлены термическим окислением кристаллической подложки InSe. Влияния поверхностных рекомбинационных эффектов на свойства ГП не обнаружено, что следует из исследований спектров фоточувствительности. Из вольт-фарадных характеристик (ВФХ) определено, что тип p-n-перехода резкий, а величина энергетического барьера составляет 0.17 V. Установлено также, что протекание тока через барьер ГП описывается в рамках диодной теории, а диодный коэффициент вольт-амперной характеристики (ВАХ) близкий к единице.
  • Мехтиев Н.М., Рудь Ю.В., Салаев Е.Ю. // ФТП. 1978. Т. 12. С. 1566
  • Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. С. 70
  • Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн. 2. М.: Мир, 1984. Гл. 14. С. 404
  • Shigetomi S., Ikari T., Koga Y. Shigetomi S. // Jap. J. Appl. Phys. 1981. V. 20. P. L343
  • Goodman A.M. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. P. 329
  • Гольдберг Ю.А., Иванова О.В., Львова Т.В., Царенков Б.В. // ФТП. 1984. Т. 18. С. 1472
  • Катеринчук В.Н., Кавалюк З.Д., Заслонкин А.В. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. С. 34
  • Shigetomi S., Ikari T., Koga Y., Shigetomi S. // Jap. J. Appl. Phys. 1988. V. 27. P. 1271.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.