Исследованы фотоэлектрические свойства гетероперехода (ГП) оксид-p-InSe, сформированного в плоскости, параллельной кристаллографической оси C. ГП изготовлены термическим окислением кристаллической подложки InSe. Влияния поверхностных рекомбинационных эффектов на свойства ГП не обнаружено, что следует из исследований спектров фоточувствительности. Из вольт-фарадных характеристик (ВФХ) определено, что тип p-n-перехода резкий, а величина энергетического барьера составляет 0.17 V. Установлено также, что протекание тока через барьер ГП описывается в рамках диодной теории, а диодный коэффициент вольт-амперной характеристики (ВАХ) близкий к единице.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.