"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Гетеропереходы оксид--p-InSe на ориентированной (110) подложке кристалла
Катеринчук В.Н.1, Ковалюк З.Д.1, Беца Т.В.1, Каминский В.М.1, Нетяга В.В.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 28 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Исследованы фотоэлектрические свойства гетероперехода (ГП) оксид--p-InSe, сформированного в плоскости, параллельной кристаллографической оси C. ГП изготовлены термическим окислением кристаллической подложки InSe. Влияния поверхностных рекомбинационных эффектов на свойства ГП не обнаружено, что следует из исследований спектров фоточувствительности. Из вольт-фарадных характеристик (ВФХ) определено, что тип p-n-перехода резкий, а величина энергетического барьера составляет 0.17 V. Установлено также, что протекание тока через барьер ГП описывается в рамках диодной теории, а диодный коэффициент вольт-амперной характеристики (ВАХ) близкий к единице.
  1. Мехтиев Н.М., Рудь Ю.В., Салаев Е.Ю. // ФТП. 1978. Т. 12. С. 1566
  2. Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. С. 70
  3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн. 2. М.: Мир, 1984. Гл. 14. С. 404
  4. Shigetomi S., Ikari T., Koga Y. Shigetomi S. // Jap. J. Appl. Phys. 1981. V. 20. P. L343
  5. Goodman A.M. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. P. 329
  6. Гольдберг Ю.А., Иванова О.В., Львова Т.В., Царенков Б.В. // ФТП. 1984. Т. 18. С. 1472
  7. Катеринчук В.Н., Кавалюк З.Д., Заслонкин А.В. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. С. 34
  8. Shigetomi S., Ikari T., Koga Y., Shigetomi S. // Jap. J. Appl. Phys. 1988. V. 27. P. 1271.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.