Исследование кремния, имплантированного ионами углерода
Булярский С.В.1, Амброзевич А.С.1, Моливер С.С.1, Джабраилов Т.А.1, Баязитов Р.М.1, Баталов Р.И.1
1Ульяновский государственный университет Казанский физико-технический институт РАН
Email: ambra@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 12 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.
Двумя независимыми методами исследован кремний, имплантированный ионами углерода. Показано, что концентрацию имплантированного углерода можно контролировать с помощью дивакансий.
- Avalos V., Dannefaer S. // Phys. Rev. 1998. V. 58. N 3. P. 1331--1342
- Humphreys R.G., Brand S., Jaros M. // Phys. C: Sol. Stat. Phys. 1993. V. 16. N 12. P. L337--L343
- Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995. 399 с
- Булярский С.В., Радауцан С.И. // ФТП. 1981. Т. 15. С. 1443--1446
- Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988. 192 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук