Изучен новый тип комбинированной активной области лазера, которая содержит квантовую яму состава In_0.2Ga_0.8As и однослойный массив квантовых точек из InAs, расположенный вне ямы. Квантовая яма является накопителем инжектированных носителей, а массив квантовых точек - излучающей системой. Рассчитываются уровни энергии электронов и дырок в квантовой точке и показывается, что возможно заполнение квантовых точек за счет резонансного туннелирования дырок из квантовой ямы в незаполненную квантовую точку. Уровень энергии электрона в незаполненной квантовой точке расположен существенно выше, чем в квантовой яме, однако при заполнении точки дыркой устанавливается резонанс электронных уровней. Выводы теории сопоставляются с результатами наблюдений на опытном лазере с комбинированной активной областью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.