Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
In situ формирование нанодоменов InGaAs на поверхности (Al, Ga)As
Крестников И.Л.1, Черкашин Н.А.1, Сизов Д.С.1, Бедарев Д.А.1, Кочнев И.В.1, Лантратов В.М.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: igov@beam.ioffe.vssi.ru
Поступила в редакцию: 30 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.
Предложен новый способ получения InGaAs нанодоменов на GaAs или (Al,Ga)As. В процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на поверхности подложки осаждается слой толщиной выше критической для образования дислокаций. InGaAs покрывается тонким AlAs, и осуществляется отжиг при повышенной температуре. В результате "отталкивания" AlAs от пластически-релаксированных областей вблизи дислокаций и его высокой температурной стабильности испарению подвергаются только области, содержащие дефекты. Эффекты самоорганизации стимулируют образование упорядоченного массива когерентных нанодоменов, которые могут быть использованы для получения захороненных низкоразмерных наноструктур и (или) наногетероэпитаксии.
- Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum Dot Heterostructures. John Wiley \& Sons, Chichester, 1999. 328 p
- Huffaker D.L., Park G., Zou Z., Shchekin O.B., Deppe D.G. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2564
- Shernyakov Yu.M., Bedarev D.A., Kondrat'eva E.Yu., Kop'ev P.S., Kovsh A.R., Maleev N.A,, Maximov M.V., Ustinov V.M., Volovik B.V., Zhukov A.E., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Bimberg D. // Electron. Lett. 1999. V. 35. P. 898
- Liu G.T., Stintz A., Li H., Malloy K.J., Lester L.F. // Electorn. Lett. 1999. V. 35. P. 1163
- Ustinov V.M., Maleev N.A., Zhukov A.E., Kovsh A.R., Egorov A.Yu., Lunev A.V., Volovik B.V., Krestnikov I.L., Musikhin Yu.G., Bert N.A., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 2815
- Ledentsov N.N., Maximov M.V., Bimberg D., Maka T., Sotomayor Torres C.M., Kochnev I.V., Krestnikov I.L., Lantratov V.M., Cherkashin N.A., Musikhin Yu.M., Alferov Zh.I. // Semiconductor Science and Technnology. 2000. V. 15. P. 604
- Maximov M.V., Kochnev I.V., Shernyakov Yu.M., Zaitsev S.V., Gordeev N.Yu., Tsatsul'nikov A.F., Sakharov A.V., Krestnikov I.L., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Bimberg D., Kosogov A.O., Werner P., Gosele U. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. 4221
- Turco F., Guillaume J.C., Massies J. // J. Cryst. Growth. 1988. V. 88. P. 282
- Beanland R., Lourenco M.A., Homewood K.P. // Microscopy of Semiconductor Materials. Eds: A.G. Gullis, J.L. Hutchinson, Inst. Phys. Conf. Series 1997. V. 157. IoP. P. 145--148
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
