Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2001, выпуск 6 » Статья стр. 34
<<<>>>
In situ формирование нанодоменов InGaAs на поверхности (Al, Ga)As
Крестников И.Л.1, Черкашин Н.А.1, Сизов Д.С.1, Бедарев Д.А.1, Кочнев И.В.1, Лантратов В.М.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: igov@beam.ioffe.vssi.ru
Поступила в редакцию: 30 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.
PDF версия
Предложен новый способ получения InGaAs нанодоменов на GaAs или (Al,Ga)As. В процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на поверхности подложки осаждается слой толщиной выше критической для образования дислокаций. InGaAs покрывается тонким AlAs, и осуществляется отжиг при повышенной температуре. В результате "отталкивания" AlAs от пластически-релаксированных областей вблизи дислокаций и его высокой температурной стабильности испарению подвергаются только области, содержащие дефекты. Эффекты самоорганизации стимулируют образование упорядоченного массива когерентных нанодоменов, которые могут быть использованы для получения захороненных низкоразмерных наноструктур и (или) наногетероэпитаксии.
  1. Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum Dot Heterostructures. John Wiley \& Sons, Chichester, 1999. 328 p
  2. Huffaker D.L., Park G., Zou Z., Shchekin O.B., Deppe D.G. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2564
  3. Shernyakov Yu.M., Bedarev D.A., Kondrat'eva E.Yu., Kop'ev P.S., Kovsh A.R., Maleev N.A,, Maximov M.V., Ustinov V.M., Volovik B.V., Zhukov A.E., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Bimberg D. // Electron. Lett. 1999. V. 35. P. 898
  4. Liu G.T., Stintz A., Li H., Malloy K.J., Lester L.F. // Electorn. Lett. 1999. V. 35. P. 1163
  5. Ustinov V.M., Maleev N.A., Zhukov A.E., Kovsh A.R., Egorov A.Yu., Lunev A.V., Volovik B.V., Krestnikov I.L., Musikhin Yu.G., Bert N.A., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 2815
  6. Ledentsov N.N., Maximov M.V., Bimberg D., Maka T., Sotomayor Torres C.M., Kochnev I.V., Krestnikov I.L., Lantratov V.M., Cherkashin N.A., Musikhin Yu.M., Alferov Zh.I. // Semiconductor Science and Technnology. 2000. V. 15. P. 604
  7. Maximov M.V., Kochnev I.V., Shernyakov Yu.M., Zaitsev S.V., Gordeev N.Yu., Tsatsul'nikov A.F., Sakharov A.V., Krestnikov I.L., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Bimberg D., Kosogov A.O., Werner P., Gosele U. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. 4221
  8. Turco F., Guillaume J.C., Massies J. // J. Cryst. Growth. 1988. V. 88. P. 282
  9. Beanland R., Lourenco M.A., Homewood K.P. // Microscopy of Semiconductor Materials. Eds: A.G. Gullis, J.L. Hutchinson, Inst. Phys. Conf. Series 1997. V. 157. IoP. P. 145--148

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme