"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Высокоэффективные светодиоды на 3.4--4.4 mum на основе p-AlGaAsSb/ n-InGaAsSb/n-AlGaAsSb, работающие при комнатной температуре
Журтанов Б.1, Иванов Э.В.1, Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Розов А.Е.1, Стоянов Н.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Созданы и исследованы излучающие структуры на основе p-AlGaAsSb/n-InGaAsSb/n-AlGaAsSb на p-GaSb (100) подложке с высоким содержанием Al в ограничительных слоях, работающие при комнатной температуре. Данная структура обеспечила превышение оптической мощности излучения и внешнего квантового выхода (~ 1%) в 3 раза по сравнению с известной гетероструктурой InAsSb/InAsSbP, выращенной на подложке InAs. Значительное увеличение импульсной мощности излучения обусловлено более эффективным удержанием неравновесных носителей заряда в активной области и уменьшением безызлучательной рекомбинации за счет создания изопериодной структуры.
  1. Есина Н.П., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Стусь Н.И., Талалакин Г.Н., Абишев Т.Д. // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. В. 7. С. 391
  2. Matveev В., Zotova N., Karandashov S., Remennyi M., Il'inskaya N., Stus' N., Shustov V., Talalakin G., Malinen J. // IEE Proceedings. Optoelectronics. 1998. V. 145 (5). P. 254--256
  3. Popov A.A., Sherstnev V.V., Yakovlev Y.P., Baranov A.N., Alibert C. // Electr. Lett. 1997. V. 33. P. 86--88
  4. Попов А.А., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 8. C. 596--598
  5. Krier A., Gao H.H., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu.P. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001 (to be published)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.