Вышедшие номера
Высокоэффективные светодиоды на 3.4--4.4 mum на основе p-AlGaAsSb/ n-InGaAsSb/n-AlGaAsSb, работающие при комнатной температуре
Журтанов Б.1, Иванов Э.В.1, Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Розов А.Е.1, Стоянов Н.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Созданы и исследованы излучающие структуры на основе p-AlGaAsSb/n-InGaAsSb/n-AlGaAsSb на p-GaSb (100) подложке с высоким содержанием Al в ограничительных слоях, работающие при комнатной температуре. Данная структура обеспечила превышение оптической мощности излучения и внешнего квантового выхода (~ 1%) в 3 раза по сравнению с известной гетероструктурой InAsSb/InAsSbP, выращенной на подложке InAs. Значительное увеличение импульсной мощности излучения обусловлено более эффективным удержанием неравновесных носителей заряда в активной области и уменьшением безызлучательной рекомбинации за счет создания изопериодной структуры.