Вышедшие номера
Исследования электронной структуры тонких пленок фуллерена, нанесенных различными методами
Шахмин А.Л.1,2, Ходорковский А.М.1,2, Мурашов С.В.1,2, Артамонова Т.О.1,2, Голод А.В.1,2
1РНЦ "Прикладная химия", С.-Петербург
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС) исследуются спектры валентных зон и характеристических потерь энергии фотоэлектронов после 1s пика углерода в тонких пленках фуллерена, нанесенных различными методами. Наличие тонкой структуры в плотности состояний вблизи дна валентной зоны пленок фуллеренов, нанесенных с помощью импульсного сверхзвукового молекулярного пучка (СМП) гелия [1], может свидетельствовать о наличии в них дальнего порядка. Отмечается, что спектры pi-плазмонных потерь в пленках, полученных методами термического и СМП осаждения, существенно отличаются, что может быть связано с более плотной упаковкой молекул C60 в СМП пленке.