Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2001, выпуск 2 » Статья стр. 30
<<<>>>
Получение гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha-Al2O3 высокого совершенства методом химического транспорта
Атаев Б.М.1,2, Камилов И.К.1,2, Лундин В.В.1,2, Мамедов В.В.1,2, Омаев А.К.1,2, Шахшаев Ш.-М.О.1,2
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: caucasus@datacom.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
PDF версия
Сообщаются первые результаты по получению гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) (0001)ZnO/(0001)GaN/(0001)alpha-Al2O3 методом химических транспортных реакций (ХТР) в проточном реакторе пониженного давления (ПРПД). Изучена морфология поверхности и проведен анализ рентгенодифракционных измерений, показавших высокое структурное совершенство слоев оксида цинка - разориентация блоков в базисной плоскости не превышала 21'. Спектр фотолюминесценции обладал превалирующим излучением в экситонной области.
  1. Семилетов С.А., Кузнецов Г.Ф., Багамадова А.М. и др. // Кристаллография. 1978. Т. 23. В. 2. С. 357--361
  2. Hong S.-K., Ko H.-J., Chen Y., Yao T. // J. Cryst. Growth. 2000. V. 209. P. 537--541
  3. Vispute R.D., Talyansky V., Choopun S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 348
  4. Lundin W.V., Pushnyi B.V., Usikov A.S., Gaevski M.E., Baidakova M.E., Sakharov A.V. // Instr. Phys. Conf. Ser. 1997. V. 155. P. 319
  5. Абдуев А.Х., Атаев Б.М., Багамадова А.М. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1987. N 11. С. 1928
  6. Ataev B.M., Bagamadova A.M., Mamedov V.V. // Thin Solid Films. 1996. V. 283. P. 5--7
  7. Абдуев А.Х., Адуков А.Д., Атаев Б.М. и др. // Опт. и спектр. 1981. Т. 50. В. 6. С. 1137

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme