Диагностика высокоомных пластин GaAs методом микроволновой фотопроводимости
Власенко Л.С.1, Горелёнок А.Т.1, Емцев В.В.1, Каманин А.В.1, Кохановский С.И.1, Полоскин Д.С.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-техничеcкий институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 4 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Показано, что метод микроволновой фотопроводимости, разработанный ранее для особо чистого Si, может быть успешно использован для качественной диагностики чистого высокоомного GaAs. Данные по микроволновой фотопроводимости GaAs находятся в хорошем согласии с данными холловских, C-V измерений и низкотемпературной фотолюминесценции.
- Von Bardeleben H.J., Bougoin J.C. Defect Control in Semiconductors / Ed. by K. Sumino. Elsevier, Amsterdam, 1990
- Markov A.V. et al. // Vysokochistye Mater. 1996. V. 1. P. 86 (in Russian)
- Buttar C.M. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 1997. A 395. P. 1
- Vlasenko L.S. et al. // Sov. Phys. JETP 91. 1986. P. 1037
- Vlasenko L.S. // Semiconductors and Insulators: Optical and Spectroscopic Research / Ed by Yu. Koptev. Nova Sciences Publishers, Inc., 1992. P. 217
- Vlasenko L.S. et al. // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. P. 1144
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук