Исследование полимерных пленок методом сканирующей туннельной микроскопии
Корнилов В.М.1, Лачинов А.Н.1
1Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН
Поступила в редакцию: 24 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.
Представлены результаты экспериментального исследования полимерных пленок толщиной до 300 nm методом сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что в пленке существуют участки, изображение которых зависит от параметров сканирования, что может быть объяснено эмиссионными процессами.
- Тучкевич В.М., Ионов А.Н. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. В. 16. С. 90--93
- Григоров Л.Н. // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. В. 10. С. 45--50
- Lachinov A.N. // Sensors and Actuatuors: A. Phys. 1993. V. 39. N 1. P. 1--6
- Архангородский В.М., Ионов А.Н., Тучкевич В.М., Шлимак И.С. // Письма в ЖЭТФ. 1990. Т. 51. N 1. С. 56--61
- Agrinskaya N.V., Kozub V.I. // Solid State Comm. 1998. V. 106. N 2. P. 111--114
- Ельяшевич А.М., Ионов А.Н., Ривкин М.М., Тучкевич В.М. // ФТТ. 1992. Т. 34. N 11. С. 3457--3464
- Kornilov V.M., Lachinov A.N. // Journal de Physique. IV Colloque C7. 1993. V. 3. P. 1585--1588
- Скалдин О.А., Жеребов А.Ю., Делев В.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1990. Т. 51. N 3. С. 141--145
- Zherebov A.Yu., Lachinov A.N. // Synth. Metals. 1991. V. 44. P. 99--102
- Kuk Y., Silverman P.J. // Rev. Sci. Instr. 1989. V. 60. N 2. P. 165--180
- Fowler R.N., Nordheim L. // Proc. R. Soc. London Ser. A. 1928. V. 119. P. 173--181
- Petersen K.E., Adler D.J. // Appl. Phys. 1976. V. 47. N 1. P. 256--263
- Wang W.N., Fox N.A., Steeds J.W. et al. // J. Appl. Phys. 1996. V. 80. N 12. P. 6809--6812
- Рахимов А.Т., Самородов В.А., Солдатов Е.С. и др. // Поверхность. 1999. N 7. С. 47--51
- Ахсахалян А.Д., Гапонов С.В., Дорофеев И.А. и др. // ЖТФ. 1994. Т. 64. N 4. С. 144--155
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук