Фотолюминесценция пористого кремния, сформированного на ионно-имплантированных пластинах кремния
Пирятинский Ю.П.1, Клюй Н.И.1, Рожин А.Г.1
1Институт физики НАН Украины, Киев Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
Email: rozhin@isp.kiev.au
Поступила в редакцию: 21 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.
Исследовалось влияние имплантации ионов B+, N+, комбинированной имплантации B++N+ на фотолюминесцентные свойства слоев пористого кремния. Обнаружен эффект значительного перераспределения областей свечения для пористого кремния в результате последующих термических отжигов. Предложены модели наблюдаемых явлений.
- Hamilton B. // Semicond. Sci. Technol. 1995. V. 10. P. 1187--1207
- Peng C., Fauchet P.M., Rehm J.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64 (10). P. 1259--1261
- Лебедев А.А., Иванов А.М., Ременюк А.Д. и др. // ФТП. 1996. Т. 30 (1). С. 188--190
- Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н. и др. // ФТП. 1997. Т. 31 (9). С. 1126--1129
- Sen S., Siejka J., Savtchouk A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70 (17). P. 2253--2255
- Wu X.L., Yan F., Bao Х.М. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68 (15). P. 2091--2093
- Liao L.S., Bao X.M., Yang Z.F. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66 (18). P. 2382--2384
- Pavesi L., Giebel G., Ziglio F. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65 (17). P. 2182--2184
- Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991. C. 670
- Henglein A., Kumat A.A., Janata E. et al. // Chem. Phys. Lett. 1986. V. 132. P. 133--135
- Helinski E., Lucas P., Wang Y. // J. Chem. Phys. 1988. V. 89. P. 3435--3441
- Burstein B.E. // Phys. Rev. 1954. V. 93. P. 632--633
- Компан М.Е., Шабанов И.Ю., Беклемышин В.И. и др. // ФТП. 1996. Т. 30 (6). С. 1095--1103
- Kanemitsu Y. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49 (20). P. 14732--14735
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук