Вышедшие номера
Сравнительное исследование проникновения атомарного водорода в тонкие пленки ванадия и систему оксид кремния--арсенид галлия
Божков В.Г.1,2, Кагадей В.А.1,2, Проскуровский Д.И.1,2, Ромась Л.М.1,2
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Email: vak@lve.hcei.tsc.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Установлено, что закономерности проникновения атомарного водорода, получаемого из дугового отражательного разряда с полым катодом и самокалящимся элементом, в образцы GaAs, покрытые тонкой пленкой SiO2, существенно отличаются от закономерностей гидрогенизации тонких ванадиевых пленок. Показано, что количество водорода, проникающего в SiO2/GaAs, уменьшается с ростом концентрации атомарного водорода в газовой фазе, что, по-видимому, связано с уменьшением вероятности проникновения атомов водорода в SiO2/GaAs. Высказано предположение, что вероятность проникновения атомарного водорода в SiO2/GaAs существенно падает с уменьшением энергии атомов и/или с ростом концентрации водорода в тонком приповерхностном слое.