"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процесса субнаносекундного обрыва тока в мощных полупроводниковых прерывателях
Рукин С.Н.1, Цыранов С.Н.1
1Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

На основе физико-математической модели исследован процесс обрыва тока высокой плотности в структуре SOS-диода. Установлено, что при глубине залегания p-n-перехода ~200 mum, времени прямой накачки менее 60 ns и времени обратной накачки ~10-15 ns реализуется субнаносекундный обрыв тока плотностью 103-104 A/cm2. Механизм обусловлен возникновением в p-области структуры двух пространственно разделенных областей сильного поля, расширяющихся на стадии обрыва тока со скоростью, близкой к насыщенной.
  1. Рукин С.Н. // ПТЭ. 1999. N 4. С. 5--36
  2. Дарзнек С.А. и др. // ЖТФ. 1997. Т. 67. В. 10. С. 64--70
  3. Дарзнек С.А. и др. // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 4. С. 56--62
  4. Любутин С.К. и др. // ДАН. 1998. Т. 360. N 4. С. 477--479

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.