Влияние кристаллографической ориентации поверхности на термостимулированную экзоэмиссию кристаллов лейкосапфира и оксида цинка
Клюев В.А.1, Топоров Ю.П.1, Загорский Д.Л.1, Демьянец Л.Н.1, Мунчаев А.И.1
1Институт физической химии РАН, Москва Институт кристаллографии РАН, Москва
Поступила в редакцию: 14 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Установлено, что характер термостимулированной экзоэмиссии электронов с поверхности кристаллов лейкосапфира и оксида цинка зависит от кристаллографической ориентации излучающей поверхности. Обнаружено, что температура пика экзоэмиссии повышается с ростом поверхностной энергии и ретикулярной плотности изучаемой грани.
- Кортов В.С., Слесарев А.И., Рогов В.В. Экзоэмиссионный контроль поверхностей деталей после обработки. Киев: Наук. думка, 1986. 176 с
- Герасимов А.В., Меркин М.М., Цервадзе А.А. // Тез. докл. IV Всесоюзн. симпозиума "Экзоэлектронная эмиссия и ее применение". Тбилиси, 1985. С. 18--19
- Рубин и сапфир. М.: Наука, 1974. 236 с
- Багдасаров Ч.С., Дубровинская Е.Р., Пищик В.В. // Современные тенденции в развитии методов кристаллографии и возможности получения совершенных монокристаллов корунда. Монокристаллы и техника. Харьков.: Изд. ВНИИ монокристаллов, 1972. Вып. 6. С. 3--10
- Кузьмина И.П., Никитенко В.А. Окись цинка. Получение и оптические свойства. М.: Наука, 1984. 168 с
- Abrahams S.C., Bernstein I.L. // Acta Crystallogr. 1969. V. B25. P. 1233--1236
- Hirschwald W., Bonsewicz P. Ernst L. et al. // Current Topics Mater. Sci. 1981. V. 7. P. 143--482
- Техника и методика измерения экзоэлектронной и акустической эмиссии // Труды Уральского политехнического института. Сб. N 215. Свердловск: УПИ, 1973. 182 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
