"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Модель одноэлектронного транзистора, основанная на численном решении уравнения Пуассона
Абрамов И.И.1, Новик Е.Г.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 25 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Предложена численная модель металлического одноэлектронного транзистора, основанная на решении уравнения Пуассона. Показано, что разработанная модель позволяет получить хорошее согласование с экспериментальными данными по вольт-амперным характеристикам при ненулевых температурах окружающей среды.
  1. Single Charge Tunneling: Coulomb Blockade Phenomena in Nanostructures / Ed. by H. Grabert, M.H. Devoret // NATO ASI Series B: Physics Plenum, New York, 1992. V. 294
  2. Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Изв. Белорусской инженерной академии. 1998. N 2 (6)/2. C. 4--8
  3. Likharev K.K. // IEEE Trans. Magn. 1987. V. MAG-23. N 2. P. 1142--1145
  4. Simmons J.G. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. N 6. P. 1793--1803
  5. Fukui H., Fujishima M., Hoh K. // Jpn. Appl. Phys. 1997. V. 36. Part 1. N 6B. P. 4147--4150
  6. Абрамов И.И., Харитонов В.В. Численное моделирование элементов интегральных схем. Минск: Высш. школа, 1990. 224 с
  7. Самарский А.А., Николаев Е.С. Методы решения сеточных уравнений. М., Наука. 1978. 592 с
  8. Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Новик Е.Г. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 8. С. 16--19
  9. Matsumoto K., Ishii M., Segawa K. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. N 1. P. 34--36
  10. Chen R.H., Likharev K.K. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N 1. P. 61--63

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.