"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
О механизмах токопрохождения в гетероструктурах n+-CdS-p-InP-p+-InP
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1, Малинин Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Исследованы механизмы токопереноса в температурном интервале 100--300 K. Установлено, что прямые токи определяются либо туннелированием через локальные центры (низкие температуры), либо рекомендацией в слое пространственного заряда. Обратные токи связаны с туннелированием через локальные центры и с прямым межзонным туннелированием. Гетеропереходы имеют туннельный механизм пробоя.
  1. Ito K., Ohsawa T. // Jap. J. Appl. Phys. 1975. V. 14. P. 1259
  2. Waqner S., Shay J.L., Bachman K.J., Buchler E. // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 26. P. 229
  3. Chynoweth A.Q., Feldmann W.L., Loqan R.A. // Phys. Rev. 1961. V. 121. P. 684

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.