Резонансно-туннельно-пролетный диод терагерцевого диапазона с квантовыми переходами в двухбарьерном инжекторе
Гельвич Э.А.1, Голант Е.И.1, Пашковский А.Б.1, Сазонов В.П.1
1Государственное научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино
Поступила в редакцию: 11 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.
Показана возможность существенного снижения пускового тока когерентного резонансно-туннельно-пролетного диода (РТПД) терагерцевого диапазона за счет использования резонансных электронных переходов в двухбарьерном инжекторе.
- Гельвич Э.А., Голант Е.И., Пашковский А.Б., Сазонов В.П. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 10. С. 7--12
- Sirtori C., Faist J., Capasso F., Sivco D.L., Hutchinson A.L., Cho A.Y. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. N 19. P. 2810--2812
- Голант Е.И., Пашковский А.Б. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 7. С. 16--21
- Голант Е.И., Тагер А.С. // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1989. В. 8 (422). С. 19--24
- Пашковский А.Б. // Письма в ЖЭТФ. 1996. Т. 64. В. 12. С. 829--834
- Faist J., Trediicucci A., Capasso F., Sirtori C., Sivco D.L., Bailargeon J.N., Hutchinson A.L., Cho A.Y. // IEEE Journal of Quantum Electonics. 1998. V. 34. P. 336--343
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук