Вышедшие номера
Трансформация дефекта GR1 в природном алмазе типа IIa при его отжиге
Алексеев А.Г.1, Амосов В.Н.1, Красильников А.В.1, Тугаринов С.Н.1, Фрунзе В.В.1, Цуцких А.Ю.1
1Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований (ТРИНИТИ)
Поступила в редакцию: 28 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

На основе данных, полученных из экспериментального изотермического отжига облученного в ядерном реакторе алмаза типа IIa при 550oC, проведены расчеты понижения концентрации нейтрального вакансионного дефекта с бесфононной линией (БФЛ) 741 nm, называемого GR1, и роста концентрации производного дефекта H3 (БФЛ 503.2 nm) для времени отжига 0/ 300 h и температур 100/ 900oC. Показано, что при использовании (для быстрой и медленной компонент трансформации дефекта GR1) значения активации Em=2.43 eV отжиг дефекта GR1 и рост производного дефекта H3 реально наблюдаются с 450oC, а граничной является температура отжига 400oC. При температурах 900/ 700oC вклад быстрой компоненты прекращается по истечении времени отжига 0.002/ 0.251 h и отжиг дефекта GR1 определяется в дальнейшем медленной компонентой.