Длинноволновое излучение в гетероструктурах с InGaAsN/GaAs квантовыми ямами
Воловик Б.В.1, Ковш А.Р.1, Passenberg W.1, Kuenzel H.1, Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH, Einsteinufer 37, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 18 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Исследованы свойства гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) InGaAsN/GaAs на подложках GaAs. Получены слои GaAsN и КЯ InGaAsN с высоким (более 1%) содержанием азота. Реализовано длинноволновое излучение в InGaAsN КЯ вплоть до 1.32 mum при комнатной температуре. Исследовано влияние параметров InGaAsN на оптические свойства структур.
- Phillips A.F., Sweeney S.J., Adams A.R., Thijs P.J.A. // IEEE J. of Selected topics in Quantum Electronics. 1999. V. 5. P. 401
- Huffaker D.L., Park G., Zou Z., Shchekin O.B., Deppe D.G. // Appl Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2564
- Zhukov A.E., Kovsh A.R., Ustinov V.M., Shernyakov Yu.M. Mikhrin S.S., Maleev N.A., Kondrat'eva E.Yu., Livshits D.A., Maximov M.V., Volovik B.V., Bedarev D.A., Musikhin Yu.G., Ledentsov N.N., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Bimberg D. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1999. V. 11. P. 1345
- Kondow M., Uomi K., Niwa A., Kitatani T., Watahiki S., Yazawa Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. P. 1273
- Nakahara K., Kondow M., Kitatani T., Larson M.C., Uomi K. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1998. V. 10. P. 487
- Egorov A.Yu., Bernklau D., Livshits D., Ustinov V., Alferov Zh.I. // Electron. Lett. 1999. V. 35. P. 1643
- Larson M.C., Kondow M., Kitatani T., Nakahara K., Tamura K. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1998. V. 10. P. 188
- Kondow M., Nakatsuka S., Kitatani T., Yazawa Y., Okai M. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. P. 5711
- Xin H.P., Tu C.W. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 2442
- Sato S., Satoh S. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 192. P. 381
- Krijn M.P.C.M. // Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. 27
- Kondow M., Uomi K., Niwa A., Kitatani T., Watahiki S., Yazava Y., Hosomi K., Mozume T. // Solid-State Electronics. 1997. V. 41. P. 209
- Kitatani T., Kondow M., Nakahara K., Larson M.C., Yazawa Y., Okai M., Uomi K. // J. Cryst. Growth. 1999. V. 201/202. P. 351
- Pozina G., Ivanov I., Monemar B., Thordson J.V., Anderson T.G. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. P. 3830
- Mars D.E., Babic D.I., Kneko Y., Chang Y.L., Subramanya S., Kruger J., Perlin P., Weber E.R. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1999. V. 17. P. 1272
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук