Определены условия и получены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений монокристаллические слои GaAs, AlGaAs и InGaAs на подложках пористого арсенида галлия. Приведены результаты сравнительного изучения морфологии, структуры и электрической однородности эпитаксиальных слоев, выращенных на пористых и монолитных подложках. Установлено, что использование пористой подложки влияет на скорость роста, морфологию слоев, а также на концентрацию и распределение электрически активных дефектов по толщине эпитаксиальной структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.