"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Монокристаллические слои GaAs, AlGaAs и InGaAs, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках пористого арсенида галлия
Бузынин Ю.Н.1, Гусев С.А.1, Данильцев В.М.1, Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Мурель А.В.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Определены условия и получены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений монокристаллические слои GaAs, AlGaAs и InGaAs на подложках пористого арсенида галлия. Приведены результаты сравнительного изучения морфологии, структуры и электрической однородности эпитаксиальных слоев, выращенных на пористых и монолитных подложках. Установлено, что использование пористой подложки влияет на скорость роста, морфологию слоев, а также на концентрацию и распределение электрически активных дефектов по толщине эпитаксиальной структуры.
  • Unagami T., Masashiro S.J. // Electrochemical Soc. 1979. V. 125. P. 1339
  • Бондаренко В.П., Воронов Н.Н., Дикарева В.В. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 10. С. 5
  • Беляков Л.П., Захарова И.Б., Зубкова Т.И. // ФиТП. 1997. Т. 31. N 1. С. 93--95
  • Buzynin Yu., Gusev S., Drozdov Yu. et al. // ALT'95 Internat. Symp. SPIE. V. 2777. P. 43--52
  • Ирин И.В., Мурель А.В. // Приборы и техника эксперимента. 1993. N 6. С. 150
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.