"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Микролегирование приповерхностных слоев арсенида галлия ионами водорода
Анисимов В.В.1,2, Демкин В.П.1,2, Квинт И.А.1,2, Мельничук С.В.1,2, Семухин Б.С.1,2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
Поступила в редакцию: 16 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Предлагается метод микролегирования приповерхностных слоев полупроводников ионами водорода с использованием плазменно-пучкового разряда. Проведенный эксперимент на арсениде галлия показал, что данный метод является эффективным по сравнению с известными способами модифицирования приповерхностных слоев.
  • Сергеев А.Н., Ремнев Г.Е., Руднев С.В. Тонкослойное протонно-ионное модифицирование. Томск: Изд-во Томского университета, 1993. 417 с
  • Davis H.A., Remnev G.E., Stinnett R.W., Yatsui K. // Intense Ion-Beam Treatmen of Materials. MRS BULLETIN. August, 1996. P. 58--62
  • Karelin A.V., Demkin V.P., Melnichuk S.V. // International Conference on LASERS'96. 1996. P. 653--657
  • Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1997. 592 с
  • Демкин В.П., Мельничук С.В., Муравьев И.И. // Оптика атмосферы и океана. 1993. N 3. С. 253--257
  • Демкин В.П., Купчинский Н.Л. // Процессы ионизации с учетом возбужденных атомов. Л. 1988. С. 168--169
  • Warren B.E. // Phys. Rev. 1941. V. 59. N 9. P. 693--698
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.