Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2000, выпуск 7 » Статья стр. 35
<<<>>>
Микролегирование приповерхностных слоев арсенида галлия ионами водорода
Анисимов В.В.1,2, Демкин В.П.1,2, Квинт И.А.1,2, Мельничук С.В.1,2, Семухин Б.С.1,2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 16 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
PDF версия
Предлагается метод микролегирования приповерхностных слоев полупроводников ионами водорода с использованием плазменно-пучкового разряда. Проведенный эксперимент на арсениде галлия показал, что данный метод является эффективным по сравнению с известными способами модифицирования приповерхностных слоев.
  1. Сергеев А.Н., Ремнев Г.Е., Руднев С.В. Тонкослойное протонно-ионное модифицирование. Томск: Изд-во Томского университета, 1993. 417 с
  2. Davis H.A., Remnev G.E., Stinnett R.W., Yatsui K. // Intense Ion-Beam Treatmen of Materials. MRS BULLETIN. August, 1996. P. 58--62
  3. Karelin A.V., Demkin V.P., Melnichuk S.V. // International Conference on LASERS'96. 1996. P. 653--657
  4. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1997. 592 с
  5. Демкин В.П., Мельничук С.В., Муравьев И.И. // Оптика атмосферы и океана. 1993. N 3. С. 253--257
  6. Демкин В.П., Купчинский Н.Л. // Процессы ионизации с учетом возбужденных атомов. Л. 1988. С. 168--169
  7. Warren B.E. // Phys. Rev. 1941. V. 59. N 9. P. 693--698

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme