Вышедшие номера
Влияние гидрогенизации на фотопроводимость ионно-легированных структур арсенида галлия
Кагадей В.А.1, Лиленко Ю.В.1, Широкова Л.С.1, Проскуровский Д.И.1
1ГНПП "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", Томск Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
Поступила в редакцию: 26 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Установлено, что гидрогенизация в атомарном водороде ионно-легированных n+-n-ni-структур GaAs приводит к более быстрой релаксации фотопроводимости имплантированных слоев, к уменьшению влияния напряжения смещения, прикладываемого к n+-слою, на фотопроводимость и к улучшению характеристик транзисторов с барьером Шоттки и интегральных схем, изготовленных на их основе. Наблюдаемые явления, по-видимому, обусловлены образованием комплексов водорода с электрически активными центрами в GaAs.