Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2000, выпуск 5 » Статья стр. 49
<<<>>>
Слабоваризонные приповерхностные слои как эффективное средство защиты от поверхностной рекомбинации фотоносителей в пороговых инфракрасных CdHgTe фоторезисторах
Холоднов В.А.1, Другова А.А.1
1АО "НПО Орион", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
PDF версия
Показано, что варизонные приповерностные слои даже с малым градиентом мольного состава могут обеспечить предельную фотомодуляцию (отвечающую отсутствию поверхностной рекомбинации) проводимости тонких CdHgTe образцов, на основе которых создаются пороговые фоторезисторы, в том числе типа SPRITE, на длины волн lambda=8-12 mum и lambda=3-5 mum. Это обусловлено формированием (даже при слабо варизонных слоях) такого профиля пространственного распределения фотоносителей, который препятствует их диффузии к поверхностям. Важно, что введение приповерхностных варизонных слоев с малым градиентом мольного состава не должно, как известно, приводить к существенному увеличению количества дефектов в образце.
  1. Rogaski A., by Kimata M., Kocherov V.F., Piotrovski J., Sizov F.F., Taubkin I.I., Tubouchi N., Zaletaev N.B. Infrared Photon Detectors. Bellingham--Washington USA: SPIE Opt. Engin. Press. 1995. 644 p
  2. Васильев А.М., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи. М.: Сов. радио, 1971. 248 с
  3. Emtage P.R. // J. Appl. Phys. 1962. V. 33. N 6. P. 1950--1960
  4. Van Ruyvent L.J., Williams F.E. // Amer. J. Phys. 1967. V. 35. N 7. P. 705--709
  5. Gora T., Williams F. // Phys., Rev. 1969. V. 177. N 3. P. 1179--1182
  6. Другова А.А., Холоднов В.А. // Тез. докл. XV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике, электронным и ионно-плазменным технологиям. Москва, 28-30 октября 1998. С. 34
  7. Другова А.А., Холоднов В.А. // Тез. докл. Международной конференции "Прикладная оптика-98". С.-Петербург, 16--18 декабря 1998. С. 87
  8. Migliorato P., White A.M. // Solid State Electronics. 1983. V. 26. N 1. P. 65--69
  9. Smith D.L. // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 45. N 1. P. 83--85
  10. Blue M.D. // Phys. Rev. 1964. V. 134. N 1A. P. 226--234
  11. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 600 с
  12. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 688 с
  13. Rittner E.S. // Photoconductivity Conference. New York, 1956. P. 215--268
  14. Блекмор Дж.С. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. 392 с
  15. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1965. 444 с
  16. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука, 1977. 832 с
  17. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 496 с
  18. Холоднов В.А. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 67. В. 9. С. 655--660
  19. Холоднов В.А. // Тез. докл. Международной конференции "Прикладная оптика-98". С.-Петербург, 16--18 декабря 1998. С. 88
  20. Kholodnov V.A. // Proceedings of SPIE. May 1999. V. 3819

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme