Высокоэффективные фотопреобразователи на основе поликристаллических гетероструктур соединений AIIBVI
Комащенко А.В.1, Колежук К.В.1, Горбик П.П.1, Май Н.О.1, Шереметова Г.И.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
Поступила в редакцию: 5 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
Получены тонкопленочные поликристаллические гетероструктуры соединений AIIBVI и на их основе изготовлены новые высокоэффективные поверхностно-барьерные фотопреобразователи типа p-Cu1.8S/n-AIIBVI/n-AIIBVI (квантовая эффективность ~ 0.9). Гетероструктуры перспективны для создания солнечных элементов и фотодетекторов ультрафиолетовой радиации, не чувствительных к видимому свету.
- Колежук К.В., Комащенко В.Н., Павелец С.Ю. и др. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. В. 16. С. 48-51
- Bobrenko Yu.N., Kislyuk V.V., Kolezhuk K.V. et al. // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1994. V. 33. N 1. P. 83--90
- Бобренко Ю.Н., Павелец А.М., Павелец C.Ю. и др. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 12. С. 9--13
- Алферов Ж.И. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 1. С. 3--18
- Lopez-Otero A. // Thin Solid Films. 1978. V. 49. N 1. P. 3--57
- Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.Б. Эпитаксиальные пленки AIIBVI. Л.: Изд-во ЛГУ, 1978. 310 c
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук