"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Новые буферные подслои для осаждения гетероэпитаксиальных пленок нитридных соединений типа A3B5 на сапфировых подложках
Котелянский М.И.1, Котелянский И.М.1, Кравченко В.Б.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
Поступила в редакцию: 9 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Для осаждения пленок нитридных соединений типа A3B5 на сапфировой подложке предлагается использовать буферный подслой из материала с кристаллической кубической структурой. Экспериментально показано, что, например, использование гетероэпитаксиального подслоя из ниобия для (0001) поверхности сапфировой подложки или подслоя из нитрида ниобия для (1120) Al2O3 позволяет устранить 30o-ный разворот (0001) нитридной пленки в плоскости подложки. Устранение этого разворота значительно уменьшает рассогласование параметров решеток поверхностей подложки и нитридной пленки, что должно способствовать улучшению степени ее кристаллического совершенства. Кроме того, становятся параллельными плоскости естественного скола подложки и полупроводниковых нитридных пленок. Последнее позволяет изготавливать гетеролазер с резонатором Фабри-Перо, у которого зеркалами являются плоскости естественного скола пленок.
  1. Morkos H., Strite S., Gao G., Lin M.E., Sverdlov B., Burns M. // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. N 3. P. 1363--1398
  2. Котелянский М.И., Котелянский И.М., Кравченко В.Б. Полупроводниковый прибор на основе гетероэпитаксиальных пленок соединений Ga1-xAlxN. Международная заявка на патент PCT/RU 98/00397 от 25.11.1998
  3. Masek K., Matolin V. // Thin Solid Film. 1998. 317. P. 183--188
  4. Носков И.П., Титенко Ю.В., Коржинский Ф.И., Комашко В.А. // Кристаллография. 1980. Т. 25. В. 4. С. 878--880

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.