Исследовалось влияние облучения из области ближнего ультрафиолета (БУФ-облучения) на зарядовое состояние структур Si-SiO₂, подверженных имплантации ионами Ar в объем окисного слоя. Использовался метод послойного профилирования, основанный на измерении высокочастотных вольтфарадных характеристик в системе электролит-диэлектрик-полупроводник в сочетании со стравливанием диэлектрического слоя. Установлено, что БУФ-облучение приводило к перезаряжению до отрицательного состояния положительно заряженных амфотерных центров, образованных в окисном слое структур Si-SiO₂ вследствие ионной имплантации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.