Влияние ультрафиолетового облучения на зарядовое состояние ионно-имплантированных структур кремний--двуокись кремния
Барабан А.П.1, Малявка Л.В.1
1НИИ физики С.-Петербургского государственного университета
Поступила в редакцию: 6 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.
Исследовалось влияние облучения из области ближнего ультрафиолета (БУФ-облучения) на зарядовое состояние структур Si-SiO2, подверженных имплантации ионами Ar в объем окисного слоя. Использовался метод послойного профилирования, основанный на измерении высокочастотных вольтфарадных характеристик в системе электролит-диэлектрик-полупроводник в сочетании со стравливанием диэлектрического слоя. Установлено, что БУФ-облучение приводило к перезаряжению до отрицательного состояния положительно заряженных амфотерных центров, образованных в окисном слое структур Si-SiO2 вследствие ионной имплантации.
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: изд. ЛГУ, 1988. 304 с
- Барабан А.П., Кузнецова А.А., Малявка Л.В., Шишлова А.В. // Изв. вузов. Электроника. 1998. N 4. С. 17--20
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук